Модуль памяти Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 6400 МГц M435R1GB4PB1-CCP

Характеристики

Дополнительно

• Емкость микросхем
  16 Гбит
• Количество ранков
  1
• Напряжение питания
  1.1 В
• Подсветка элементов платы
• Радиатор
• Расположение чипов
  одностороннее
• Тип микросхем
  1Gx16
• Число микросхем
  4

Общие характеристики

• PC-индекс
  PC5-51200
• Количество модулей в комплекте
  1
• Низкопрофильная (Low Profile)
• Общий объем
  8 Гб
• Поддержка ECC
• Тактовая частота
  6400 МГц
• Тип
  DDR5 SO-DIMM
• Цвет
  зеленый

Тайминги

• CAS Latency
  52T